/  铁电存储器

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铁电随机存储器由于具有高速写入、高读写耐久性、低功耗、抗辐照等特性受到广泛关注，成为工业界和学术界在半导体存储领域研究的热点之一。铁电随机存储器有望克服NOR闪存的不足，不仅可以取代现有非易失性存储器件的功能，而且可望拓展其在对功耗、可靠性要求较高的一些特殊领域的应用，如汽车电子、安全芯片、可穿戴设备、人工智能等。从2001年起，铁电随机存储器就已经被列入了国际半导体技术发展路线图ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors)。铁电随机存储器主要依靠存储芯片中铁电材料在电场下极化的翻转来实现信号“0”和“1”的存储，其极化状态在撤掉电场后依然能保持稳定，因此可以实现非易失性。铁电材料于1920年由 Valasek发现，之后学界长期聚焦钙钛矿结构传统铁电材料，如BTO和PZT。近年来新发现的氟石结构掺杂HfO2也具有铁电性质，其良好的可微缩性使其最近成为研究热点。目前国内外有数家公司和机构进行铪基铁电存储器的研发，包括富士通、Cypress、英飞凌等。