磁阻存储器件

磁阻存储器技术具有读写速度快、功耗低、寿命长和抗辐射性等优点,是新一代非易失性固态随机存储器中最有发展前景并被开发的核心技术之一,在航空航天、车载、消费电子、物联网等领域有良好的应用前景。磁阻存储元件以磁性材料为信息存储介质,磁化方向固定的参考层和磁化方向可变的自由层由绝缘层隔离开。通过磁场调节上下两层磁性层的磁化方向平行或者反平行来建立两个稳定状态,在反平行状态时通过此器件的电子会受到比较大的干扰因此表现出较高的阻值;而在平行状态时电子受到的干扰较小得到相对低的阻值,可分别用于存储数字信号“0”和“1”。室温隧穿磁阻效应于1995年被发现,引发了大量的研究,现在已经在研发第二代电流驱动型自旋转移矩磁阻存储器STT-MRAM。目前,Everspin、IBM、Spin Transfer Technologies、Qaulcomm、Samsung、Avalanche等公司正在研发垂直STT-MRAM产品,推进磁阻存储器的商业化。

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