相变存储器件

相变存储器具有优异的等比微缩能力、集成度高、读写速度快、循环寿命长、可实现多值存储等优点，被认为是最有潜力的新兴非易失存储技术，有望作为存储级内存解决闪存和动态随机存储器之间的内存墙瓶颈，在存储及内存、人工智能等领域有着广阔的应用前景。相变存储器采用硫系化合物为主的相变材料作为信息存储介质，在受热的作用下，相变材料能在非晶体和晶体状态之间实现快速、可逆转换，高电阻的非晶态和低电阻的晶态即可用于存储数字信号“0”和“1”。相变存储材料最早由Ovshinsky于1968年发现，经过几十年的蛰伏，1998年后众多科技公司投入大量资源研究相变存储器。 Intel和Micron于近年开发出可以三维堆叠的3D-Xpoint技术，并先后推出了基于该技术的大容量SSD芯片和持久内存芯片。